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科学家实现芯片间纳米级雷射传输:亚博官网

亚博官网 国内 2021年05月19日
本文摘要:芯片之间、芯片和电路板之间的通信信号传输是全世界研究人员集中研究的最重要领域之一。目前,美国西雅图的华盛顿大学(UniversityofWashington)和加利福尼亚斯坦福大学(StanfordUniversity)正在开发利用电子调制修改光通信的纳米芯片激光技术。虽然可以用芯片激光制作的材料大部分与硅基板不一样,但研究人员对在标准硅芯片上集成厚度仅为0.7nm的原子级激光抱有很大期望。

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芯片之间、芯片和电路板之间的通信信号传输是全世界研究人员集中研究的最重要领域之一。目前,美国西雅图的华盛顿大学(UniversityofWashington)和加利福尼亚斯坦福大学(StanfordUniversity)正在开发利用电子调制修改光通信的纳米芯片激光技术。虽然可以用芯片激光制作的材料大部分与硅基板不一样,但研究人员对在标准硅芯片上集成厚度仅为0.7nm的原子级激光抱有很大期望。目前,我们在硒三明治之间使用钨光子腔,但电子工程教授ArkaMajumdar预计未来会以氮化硅超过同样的结果。

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ArkaMajumdar与研究员XiaodongXum及博士助理SanfengWu共同进行了这项研究。厚度只有3个原子的超薄半导体材料,可以将光子腔扩大到空中光线。(资料来源:华盛顿大学)根据Majumdar和Wu的回答,这种厚度只有约3个原子的材料是目前最厚的半导体,不仅能效非常高,而且还应该只用27nW的信号展开全光变异,成为芯片上通信的理想自由选择。这种新材料期待另一个研究小组利用这种新半导体制作LED、太阳能电池、水晶|体观。

要用这种材料制造纳米激光,需要制造能够集中光的限制腔,在钨基材料层形成。该材料的优点可以调整,并可用作标准频率构建芯片、芯片之间和板级之间的通信。接下来,该研究小组仔细分析材料特性,利用氮化硅材料展开实验,期待取得进一步进展。该研究从美国空军办公室的科研、国家科学基金会(NSF)、华盛顿的清洁能源研究所、美国能源局和欧洲委员会(EC)等获得了资金赞助者。


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