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东芝研发NIL技术NANDFlash成本降1成:亚博官网

亚博官方登录入口 国内 2021年03月16日
本文摘要:据日本媒体报道,全球第二大NAND FlashMemory制造商东芝(Toshiba)将使用所谓的纳米压印光刻技术(Nano-imprint平版印刷术);2017年;NIL)和智能手机等产品中使用的NANDFlash,使曝光工程(构成电路的工程)的成本可以低至目前技术的1/3。就整体生产工程而言,未来预计成本将降低10%左右。 东芝继续与DNP和佳能开发NIL技术,希望提高其成本竞争力,并与三星galaxy达成交易。

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据日本媒体报道,全球第二大NAND FlashMemory制造商东芝(Toshiba)将使用所谓的纳米压印光刻技术(Nano-imprint平版印刷术);2017年;NIL)和智能手机等产品中使用的NANDFlash,使曝光工程(构成电路的工程)的成本可以低至目前技术的1/3。就整体生产工程而言,未来预计成本将降低10%左右。

东芝继续与DNP和佳能开发NIL技术,希望提高其成本竞争力,并与三星galaxy达成交易。东芝计划未来三年在半导体行业投资8600亿日元,其中一部分将用于准备使用NIL技术的NANDFlash生产线,并计划在2017年开始生产,然后计划使用预计在2018年建成的新工厂开始大规模生产。由于目前的技术已经不能进一步提高半导体性能,包括东芝在内的全球半导体制造商都大力开展了下一代技术的研发。

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除上述NIL外,荷兰ASML设备厂在美国英特尔和韩国三星的支持下,启动了EUV曝光技术的研发。东芝于3月18日宣布,将在2016年至2018年的三年内,向NAND FlashMemory投资约8600亿日元。除了为3DFlash新建厂房外,还将对现有工厂进行设备改造,增加3DFlash的生产比例。根据趋势科技(TrendForce)的内存存储业务DRAMeXchange最近的一份报告,2016年Q1(1-3月)NANDFlash品牌的收入减少了2.9%,至80.64亿美元,这一收入在过去两个季度有所下降。


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